Жакында көптөгөн достор молибденди чачыратуу максаттарынын өзгөчөлүктөрү жөнүндө сурашты.Электрондук өнөр жайда чачыратуу эффективдүүлүгүн жогорулатуу жана депонирленген пленкалардын сапатын камсыз кылуу максатында молибденди чачыратуу максаттарынын мүнөздөмөлөрүнө кандай талаптар коюлат?Эми РСМдин техникалык адистери бизге түшүндүрүп беришет.
1. Тазалык
Жогорку тазалык молибденди чачыратуу үчүн негизги мүнөздүү талап болуп саналат.Молибдендин максаттуу тазалыгы канчалык жогору болсо, чачыратылган пленканын иштеши ошончолук жакшы болот.Жалпысынан алганда, молибден чачыратуу максаттуу тазалыгы, жок эле дегенде, 99,95% болушу керек (массалык үлүшү, төмөндө бирдей).Бирок, ЖК тармагында айнек субстраттын өлчөмүн тынымсыз жакшыртуу менен зымдардын узундугун узартуу жана линияны ичке кылуу талап кылынат.Пленканын бир калыпта болушун жана зымдардын сапатын камсыз кылуу үчүн молибденди чачыратуу бутанын тазалыгын да ошого жараша жогорулатуу талап кылынат.Ошондуктан, чачылган айнек субстраттын өлчөмүнө жана колдонуу чөйрөсүнө ылайык, молибденди чачыратуу максатынын тазалыгы 99,99% - 99,999% же андан да жогору болушу керек.
Молибденди чачыратуу максаттуу чачууда катод булагы катары колдонулат.Катуу аралашмалар жана тешикчелердеги кычкылтек жана суу буулары чөккөн пленкалардын булганышынын негизги булагы болуп саналат.Мындан тышкары, электрондук өнөр жайында, щелочтук металл иондору (Na, K) жылуулоо катмарында кыймылдуу иондорго айлануу үчүн жеңил болгондуктан, баштапкы аппараттын аткаруу азаят;Уран (U) жана титан (TI) сыяктуу элементтер аппараттардын жумшак бузулушуна алып келген α-рентгендик нурлар чыгарылат;Темир жана никель иондору интерфейстин агып кетишине жана кычкылтек элементтеринин көбөйүшүнө алып келет.Ошондуктан, молибденди чачыратуу максатын даярдоо процессинде, бул аралашма элементтери максаттуу алардын мазмунун минималдаштыруу үчүн катуу көзөмөлгө алынышы керек.
2. Дандын өлчөмү жана өлчөмүн бөлүштүрүү
Жалпысынан, молибденди чачыратуу максаты поликристаллдык түзүлүш болуп саналат жана дан өлчөмү микрондон миллиметрге чейин өзгөрүшү мүмкүн.Эксперименталдык натыйжалар майда дандын чачуу ылдамдыгы ири данга караганда тезирээк экенин көрсөтүп турат;Кичинекей дан өлчөмү айырмасы бар максат үчүн, салынган пленканын калыңдыгынын бөлүштүрүлүшү дагы бирдей.
3. Кристаллдын багыты
Максаттуу атомдор чачыратуу учурунда алты бурчтуу багытта атомдордун эң жакын жайгашуу багыты боюнча артыкчылыктуу чачыратуу оңой болгондуктан, эң жогорку чачыратуу ылдамдыгына жетишүү үчүн, чачыратуу ылдамдыгы көбүнчө бутанын кристаллдык түзүлүшүн өзгөртүү менен көбөйтүлөт.Буталардын кристаллдык багыты чачылган пленканын калыңдыгынын бирдейлигине да чоң таасирин тийгизет.Ошондуктан, бул пленканы чачыратуу жараяны үчүн белгилүү бир кристалл багытталган максаттуу структурасын алуу үчүн абдан маанилүү болуп саналат.
4. Тыгыздандыруу
Чачыратуу каптоо процессинде, аз тыгыздыктагы чачыратуу бутасы бомбаланганда, бутанын ички тешикчелериндеги газ капыстан бөлүнүп чыгат, натыйжада чоң өлчөмдөгү бутага бөлүкчөлөр же бөлүкчөлөр чачырайт, же пленкалуу материал бомбаланат. пленка пайда болгондон кийин экинчилик электрондор менен бөлүкчөлөрдүн чачырашына алып келет.Бул бөлүкчөлөрдүн пайда болушу пленканын сапатын төмөндөтөт.Максаттуу катуу бөлүктөгү тешикчелерди азайтуу жана пленканын иштешин жакшыртуу үчүн, чачыратуу максаты көбүнчө жогорку тыгыздыкка ээ болушу керек.Молибденди чачыратуу үчүн анын салыштырмалуу тыгыздыгы 98% дан жогору болушу керек.
5. Нысананы жана шассиди байлоо
Жалпысынан, молибденди чачыратуу бутасы чачыратуу учурунда кычкылтексиз жез (же алюминий жана башка материалдар) шасси менен туташтырылышы керек, ошондуктан бутанын жана шассидин жылуулук өткөрүмдүүлүгү чачуу процессинде жакшы болот.Байланыштыргандан кийин, ультрадыбыстық текшерүүдөн өтүп, экөөнүн бирикпей турган аянты 2% дан кем эмес экендигин камсыз кылуу үчүн, жогорку кубаттуулуктагы чачыратуу талаптарына жооп бериши керек.
Посттун убактысы: 19-июль-2022