Максаттуу технологиянын колдонулушу жана принциби жөнүндө, кээ бир кардарлар RSM менен кеңешишти, азыр бул көйгөй үчүн техникалык эксперттер айрым тиешелүү билимдерди бөлүшөт.
Sputtering максаттуу колдонмо:
Заряддоочу бөлүкчөлөр (мисалы, аргон иондору) катуу бетти бомбалап, атомдор, молекулалар же байламчалар сыяктуу беттик бөлүкчөлөрдүн "чачыратуу" деп аталган объектилик кубулуштун бетинен чыгып кетишине алып келет.Магнетронду чачыратуу каптоодо аргондун иондошуусунун натыйжасында пайда болгон оң иондор, адатта, катуу затты (максат) бомбалоо үчүн колдонулат, ал эми чачыраган нейтралдуу атомдор пленка катмарын түзүү үчүн субстратка (даярдама) жайгаштырылат.Магнетрон чачыратуу каптоо эки өзгөчөлүккө ээ: "төмөн температура" жана "тез".
Магнетрон чачыратуу принциби:
Ортогоналдык магнит талаасы жана электр талаасы чачыратылган максаттуу уюл (катод) менен аноддун ортосуна кошулуп, жогорку вакуумдук камерада талап кылынган инерттүү газ (көбүнчө Ar газы) толтурулат.Туруктуу магнит максаттуу материалдын бетинде 250-350 Гаусс магнит талаасын түзөт жана жогорку чыңалуудагы электр талаасы менен ортогоналдык электромагниттик талааны түзөт.
Электр талаасынын таасири астында Ar газы оң иондорго жана электрондорго иондоштурулуп, бутага белгилүү бир терс жогорку басым пайда болот, ошондуктан максаттуу уюлдан чыккан электрондорго магнит талаасы жана жумушчу иондошуу ыктымалдыгы таасир этет. газ көбөйөт.Катоддун жанында жогорку тыгыздыктагы плазма пайда болот, ал эми Ar иондору Лоренц күчүнүн таасири астында максаттуу бетке тездейт жана бута бетине жогорку ылдамдыкта бомбалайт, ошентип бутага чачыраган атомдор бутага түшкөн беттен жогорку ылдамдык менен качып кетишет. кинетикалык энергия менен субстратка учуп, импульстун конверсия принцибине ылайык пленканы пайда кылат.
Магнетрон чачыратуу жалпысынан эки түргө бөлүнөт: DC чачыратуу жана RF чачыратуу.DC чачыратуу жабдууларынын принциби жөнөкөй жана металлды чачканда ылдамдыгы тез.RF чачыратуу өткөргүч материалдарды чачыратуудан тышкары, ошондой эле өткөргүч эмес материалдарды, ошондой эле оксиддерди, нитриддерди жана карбиддерди жана башка кошулма материалдарды реактивдүү чачыранды даярдоону колдонуу кеңири.Эгерде RF жыштыгы жогоруласа, ал микротолкундуу плазманын чачырандысына айланат.Азыркы учурда электрондук циклотрондук-резонанстык (ECR) типтеги микротолкундуу плазманы чачыратуу көбүнчө колдонулат.
Посттун убактысы: 01-август-2022